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PORTALE DELLA DIDATTICA

Solid state physics/Electronic devices

01RLUPE

A.A. 2019/20

2018/19

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

The course is taught in English. Questo insegnamento, collocato al primo semestre del primo anno della Laurea Magistrale in Nanotechnologies for ICTs , intende fornire le basi teoriche della fisica dello stato solido e la loro applicazione nei dispositivi elettronici a stato solido con particolare riferimento alle applicazioni nei settori delle tecnologie dell'informazione e della comunicazione (ICT) e dell’energia. Il ruolo dell'insegnamento è centrale nello sviluppo della figura professionale del laureato magistrale in Ingegneria delle Nanotecnologie, in quanto in esso vengono fornite le basi per la comprensione dei successivi insegnamenti del corso di studio. L’insegnamento, integrato, consta di un modulo di Solid State Physics e di un modulo di Electronic Devices. Nel primo modulo gli studenti sono suddivisi in due squadre per i 4 crediti iniziali. Una squadra contiene gli studenti provenienti da corsi di Laurea Triennale dove non sono stati trattati gli elementi di base di meccanica quantistica e statistica necessari alla comprensione delle proprietà della materia. La seconda squadra contiene gli studenti che provengono da corsi di Laurea Triennali dove le basi della fisica moderna sono già stati introdotte. In entrambi i casi sono trattati, a due diversi livelli di approfondimento, quegli aspetti della fisica dello stato solido che sono strumenti essenziali per studiare le proprietà elettroniche di materiali nanostrutturati. La seconda parte del primo modulo, a squadre riunite, è dedicata ad approcci generali al calcolo della struttura a bande di un solido conduttore o semiconduttore. Nel secondo modulo vengono introdotti gli strumenti di base per la comprensione del funzionamento e il design di dispositivi elettronici allo stato solido

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

The course is taught in English. Questo insegnamento, collocato al primo semestre del primo anno della Laurea Magistrale in Nanotechnologies for ICTs , intende fornire le basi teoriche della fisica dello stato solido e la loro applicazione nei dispositivi elettronici a stato solido con particolare riferimento alle applicazioni nei settori delle tecnologie dell'informazione e della comunicazione (ICT) e dell’energia. Il ruolo dell'insegnamento è centrale nello sviluppo della figura professionale del laureato magistrale in Ingegneria delle Nanotecnologie, in quanto in esso vengono fornite le basi per la comprensione dei successivi insegnamenti del corso di studio. L’insegnamento, integrato, consta di un modulo di Solid State Physics e di un modulo di Electronic Devices. Nel primo modulo gli studenti sono suddivisi in due squadre per i 4 crediti iniziali. Una squadra contiene gli studenti provenienti da corsi di Laurea Triennale dove non sono stati trattati gli elementi di base di meccanica quantistica e statistica necessari alla comprensione delle proprietà della materia. La seconda squadra contiene gli studenti che provengono da corsi di Laurea Triennali dove le basi della fisica moderna sono già stati introdotte. In entrambi i casi sono trattati, a due diversi livelli di approfondimento, quegli aspetti della fisica dello stato solido che sono strumenti essenziali per studiare le proprietà elettroniche di materiali nanostrutturati. La seconda parte del primo modulo, a squadre riunite, è dedicata ad approcci generali al calcolo della struttura a bande di un solido conduttore o semiconduttore. Nel secondo modulo vengono introdotti gli strumenti di base per la comprensione del funzionamento e il design di dispositivi elettronici allo stato solido

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

The course is taught in English. Aim of the course (1st semester, 1st year) is to provide the theoretical basics of solid state physics and their applications to solid state electronic devices, with particular emphasis in applications in the area of ICTs and energy. This course plays a central role in the development of an Engineer expert in Nanotechnologies, because it extensively provides the basic elements for the understanding of subsequent courses of the MSc learning program. The integrated course is divided in two sections. In the Solid State Physics section the students are organized into two teams for the initial 4 ECTS. The first team is composed of students with a low background in the areas of quantum mechanics and statistics, which have to be learned in order to understand ensuing subjects in physics of matter and electronic devices. The second team is composed of students with an adequate background of modern physics. In both cases the students get (up to different levels of in-depth analysis) the fundamentals of solid state physics functional to study electronic properties of nanostructured materials. The second part of the first section (taught to all students) general methods for the evaluation of the band structure of conducting/semiconducting solids are given. In the Electronic Devices section, the students learn the basics for understanding the physics and the design of electronic devices.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

The course is taught in English. Aim of the course (1st semester, 1st year) is to provide the theoretical basics of solid state physics and their applications to solid state electronic devices, with particular emphasis in applications in the area of ICTs and energy. This course plays a central role in the development of an Engineer expert in Nanotechnologies, because it extensively provides the basic elements for the understanding of subsequent courses of the MSc learning program. The integrated course is divided in two sections. In the Solid State Physics section the students are organized into two teams for the initial 4 ECTS. The first team is composed of students with a low background in the areas of quantum mechanics and statistics, which have to be learned in order to understand ensuing subjects in physics of matter and electronic devices. The second team is composed of students with an adequate background of modern physics. In both cases the students get (up to different levels of in-depth analysis) the fundamentals of solid state physics functional to study electronic properties of nanostructured materials. The second part of the first section (taught to all students) general methods for the evaluation of the band structure of conducting/semiconducting solids are given. In the Electronic Devices section, the students learn the basics for understanding the physics and the design of electronic devices.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

- Conoscenza delle proprietà elettriche ed ottiche di solidi cristallini e nanostrutture. - Conoscenza approfondita, su rigorosa base quantistica, delle proprietà conduttive di metalli, semiconduttori ed isolanti anche nanostrutturati. - Conoscenza dei fenomeni connessi alla coerenza quantistica ed al regime balistico di elettroni in nanostrutture. - Capacità di valutare gli effetti legati al moto elettronico in nanostrutture con effetti di confinamento laterale - Capacità di calcolare la struttura a bande anche in sistemi a bassa dimensionalità - Conoscenza del funzionamento dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido. - Capacità di applicare Ile conoscenze di fisica dello stato solido alla comprensione dei dispositivi elettronici - Capacità di interpretare i risultati di importanti tecniche sperimentali per la caratterizzazione di dispositivi elettronici ed optoelettronici.. - Capacità di utilizzare modelli fisici per l’analisi e il progetto dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido. - Capacità di derivare e utilizzare modelli circuitali per l’analisi dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

- Conoscenza delle proprietà elettriche ed ottiche di solidi cristallini e nanostrutture. - Conoscenza approfondita, su rigorosa base quantistica, delle proprietà conduttive di metalli, semiconduttori ed isolanti anche nanostrutturati. - Conoscenza dei fenomeni connessi alla coerenza quantistica ed al regime balistico di elettroni in nanostrutture. - Capacità di valutare gli effetti legati al moto elettronico in nanostrutture con effetti di confinamento laterale - Capacità di calcolare la struttura a bande anche in sistemi a bassa dimensionalità - Conoscenza del funzionamento dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido. - Capacità di applicare Ile conoscenze di fisica dello stato solido alla comprensione dei dispositivi elettronici - Capacità di interpretare i risultati di importanti tecniche sperimentali per la caratterizzazione di dispositivi elettronici ed optoelettronici.. - Capacità di utilizzare modelli fisici per l’analisi e il progetto dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido. - Capacità di derivare e utilizzare modelli circuitali per l’analisi dei principali dispositivi (opto)elettronici a stato solido.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

- Knowledge of the radiation-matter interaction - Knowledge of electronic and optical properties of solids and nanostructures. - In-depth knowledge of quantum charge conduction in metals, semiconductors and insulators (bulk and nanostructures) - Knowledge of the effects related to quantum coherence and ballistic regime of electrons in nanostructures - Ability to evaluate the effects related to electronic motion un nanostructures with side confinement - Ability to evaluate band structures, even in low-dimensional systems - Knowledge of the operating principles of semiconductor (opto)electronic devices - Ability to apply the basics of solid state physics to the understanding of electronic devices.. - Ability in understanding and interpreting important experimental characterization techniques of semiconductor electronic and optoelectronic devices - Ability to use physics-based models for the analysis and design of the main semiconductor (opto)electronic devices - Ability to derive and use circuit-based models for the analysis of the main semiconductor (opto)electronic devices

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

- Knowledge of the radiation-matter interaction - Knowledge of electronic and optical properties of solids and nanostructures. - In-depth knowledge of quantum charge conduction in metals, semiconductors and insulators (bulk and nanostructures) - Knowledge of the effects related to quantum coherence and ballistic regime of electrons in nanostructures - Ability to evaluate the effects related to electronic motion un nanostructures with side confinement - Ability to evaluate band structures, even in low-dimensional systems - Knowledge of the operating principles of semiconductor (opto)electronic devices - Ability to apply the basics of solid state physics to the understanding of electronic devices.. - Ability in understanding and interpreting important experimental characterization techniques of semiconductor electronic and optoelectronic devices - Ability to use physics-based models for the analysis and design of the main semiconductor (opto)electronic devices - Ability to derive and use circuit-based models for the analysis of the main semiconductor (opto)electronic devices

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

- Fisica di base (meccanica, termodinamica, elettromagnetismo, ottica ondulatoria, elementi di struttura della materia) - Elementi di fisica moderna. - Elementi di elettronica.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

- Fisica di base (meccanica, termodinamica, elettromagnetismo, ottica ondulatoria, elementi di struttura della materia) - Elementi di fisica moderna. - Elementi di elettronica.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

- Elementary physics (mechanics, thermodynamics, wave optics, elements of structure of matter) - Elements of modern physics - Elements of electronics

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

- Elementary physics (mechanics, thermodynamics, wave optics, elements of structure of matter) - Elements of modern physics - Elements of electronics

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

1. Modulo Solid State Physics (6 cr.) Squadra 1 (4 cr.) Transizione dalle fisica classica alla fisica quantistica. (0,5 cr) Equazione di Schrodinger. Misura di una grandezza fisica. Principio di indeterminazione. (05 cr) Problemi quantistici unidimensionali, Equazione di Schrodinger una schiera infinita di buche di potenziale. Elettroni nei solidi cristallini. (1 cr.) Il gas di fotoni (distribuzione di Bose-Einstein), il gas di elettroni (distribuzione di Fermi-Dirac). (1 cr.) Proprietà elettriche di semiconduttori e metalli (0,5 cr) Interazione fotoni ' materia (0,5 cr) Squadra 2 (4 cr.) L'equazione del trasporto di Boltamann e la conducibilità elettrica dei metalli (0,5 cr.) Fononi e elettroni (0,5 cr.) Effetti di superficie e di interfaccia (0,5 cr.) Sistemi a bassa dimensionalità (2 cr.): il grafene; la Formula di Landauer; il tunneling risonante, la Coulomb blockade, il transistor a singolo elettrone Elementi di spintronica: transistor spintronici (0,5 cr.) Squadre 1 e 2 (2 cr.) - Il funzionale della densità (1cr.) - Applicazioni del metodo al calcolo di strutture a bande (1 cr) 2. Modulo di Electronic Devices (6 cr.) Squadre 1 e 2 ( 6 cr.) Modelli semiclassici per l’analisi e il progetto di dispositivi elettronici e optoelettronici (0,5 cr.) Giunzione p-n ed eterogiunzioni (0,5 cr) Transistore bipolari a omogiunzione ed eterogiunzione (1 cr) Giunzione metallo-semiconduttore e transistori MESFET (1,5 cr.) Transistori FET ad eterostruttura (0,5 cr) Sistema MOS e transistore MOSFET (1cr) Effetto fotovoltaico e celle solari (1cr)

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

1. Modulo Solid State Physics (6 cr.) Squadra 1 (4 cr.) Transizione dalle fisica classica alla fisica quantistica. (0,5 cr) Equazione di Schrodinger. Misura di una grandezza fisica. Principio di indeterminazione. (05 cr) Problemi quantistici unidimensionali, Equazione di Schrodinger una schiera infinita di buche di potenziale. Elettroni nei solidi cristallini. (1 cr.) Il gas di fotoni (distribuzione di Bose-Einstein), il gas di elettroni (distribuzione di Fermi-Dirac). (1 cr.) Proprietà elettriche di semiconduttori e metalli (0,5 cr) Interazione fotoni ' materia (0,5 cr) Squadra 2 (4 cr.) L'equazione del trasporto di Boltamann e la conducibilità elettrica dei metalli (0,5 cr.) Fononi e elettroni (0,5 cr.) Effetti di superficie e di interfaccia (0,5 cr.) Sistemi a bassa dimensionalità (2 cr.): il grafene; la Formula di Landauer; il tunneling risonante, la Coulomb blockade, il transistor a singolo elettrone Elementi di spintronica: transistor spintronici (0,5 cr.) Squadre 1 e 2 (2 cr.) - Il funzionale della densità (1cr.) - Applicazioni del metodo al calcolo di strutture a bande (1 cr) 2. Modulo di Electronic Devices (6 cr.) Squadre 1 e 2 ( 6 cr.) Modelli semiclassici per l’analisi e il progetto di dispositivi elettronici e optoelettronici (0,5 cr.) Giunzione p-n ed eterogiunzioni (0,5 cr) Transistore bipolari a omogiunzione ed eterogiunzione (1 cr) Giunzione metallo-semiconduttore e transistori MESFET (1,5 cr.) Transistori FET ad eterostruttura (0,5 cr) Sistema MOS e transistore MOSFET (1cr) Effetto fotovoltaico e celle solari (1cr)

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Section: Solid State Physics Team 1 (4 ECTS) From classical physics to quantum mechanics (0,5 ECTS) Schrodinger equation. Measurement of a physical quantity. Interemination principle (0,5 ECTS) Analysis of one-dimensional quantum problems, the Schroedinger's equation for an infinite array of potential wells, electrons in crystalline solids (1 ECTS) The gas of photons and phonons (the Bose-Einstein's distribution), the black-body problem, the electron gas (the Fermi-Dirac's distribution). (1 ECTS) Electronic properties of metals and semiconductors Photon-matter interaction (0,5 ECTS) Team 2 (4 ECTS) The Boltzmann equation and the electrical conductivity of metals (0,5 ECTS) Phonons and electrons (0,5 ECTS) Surface and interface effects (0,5 ECTS) Low dimensionality systems (2 ECTS); graphene, the Landauer formula; resonant tunneling; Coulomb blockade ; single-electron trasnsistor Elements of spintronics: spintronic transistors (0,5 ECTS) Team 1 and 2 (2 ECTS) The density functional theory (1 ECTS) Applications of the model to determine band structures in solids (including low-dimensional systems) (1 ECTS) Section: Electronic Devices (Team 1 and 2 ) Semiclassical models for the analysis and design of electronic and optoelectronic devices (0,75 ECTS) p-n junction and heterojunctions (0,75 ECTS) Homo- and Hetero-junction bipolar transistors (1 ECTS) Metal-semiconductor junction and MESFET transistors (1,5 ECTS) Heterostructure field effect transistors (HEMT, HFET) (0,5 ECTS) MOS system and MOSFET transistor. (1 ECTS) Photovoltaic effect and solar cells (0,5 ECTS)

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Section: Solid State Physics Team 1 (4 ECTS) From classical physics to quantum mechanics (0,5 ECTS) Schrodinger equation. Measurement of a physical quantity. Interemination principle (0,5 ECTS) Analysis of one-dimensional quantum problems, the Schroedinger's equation for an infinite array of potential wells, electrons in crystalline solids (1 ECTS) The gas of photons and phonons (the Bose-Einstein's distribution), the black-body problem, the electron gas (the Fermi-Dirac's distribution). (1 ECTS) Electronic properties of metals and semiconductors Photon-matter interaction (0,5 ECTS) Team 2 (4 ECTS) Surface and interface effects (0,5 ECTS) Heterojunctions and 2D electron gas (0,5 ECTS) Low dimensionality systems (2 ECTS); graphene, the Landauer formula; resonant tunneling; Coulomb blockade ; single-electron trasnsistor Elements of spintronics: spintronic transistors (1 ECTS) Team 1 and 2 (2 ECTS) The density functional theory (1 ECTS) Applications of the model to determine band structures in solids (including low-dimensional systems) (1 ECTS) Section: Electronic Devices (Team 1 and 2 ) Semiclassical models for the analysis and design of electronic and optoelectronic devices (0,5 ECTS) p-n junction and heterojunctions (0,5 ECTS) Homo- and Hetero-junction bipolar transistors (1 ECTS) Metal-semiconductor junction and MESFET transistors (1,5 ECTS) Heterostructure field effect transistors (HEMT, HFET) (0,5 ECTS) MOS system and MOSFET transistor. (1 ECTS) Photovoltaic effect and solar cells (ECTS)

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Modulo di Solid State Physics Le esercitazioni in aula riguardano la risoluzione di semplici problemi, con applicazioni di quanto trattato nelle lezioni immediatamente precedenti. Può essere richiesto in taluni casi l'uso di calcolatrici scientifiche (personali, di ciascuno studente). Nella seconda parte del modulo (a squadre riunite) è prevista attività di laboratorio informatico in LAIB allo scopo di far applicare agli studenti in casi concreti il metodo del funzionale della densità. Modulo di Electronic Devices Le esercitazioni in aula propongono problemi risolvibili con metodi analitici (con ausilio di calcolatrice personale) e problemi che richiedono l’applicazione di tecniche numeriche (con ausilio del computer personale). Ogni settimana sono proposti ulterioi esercizi da svolgersi in autonomia (homework) per i quali è fornita la soluzione nella settimana seguente.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Modulo di Solid State Physics Le esercitazioni in aula riguardano la risoluzione di semplici problemi, con applicazioni di quanto trattato nelle lezioni immediatamente precedenti. Può essere richiesto in taluni casi l'uso di calcolatrici scientifiche (personali, di ciascuno studente). Nella seconda parte del modulo (a squadre riunite) è prevista attività di laboratorio informatico in LAIB allo scopo di far applicare agli studenti in casi concreti il metodo del funzionale della densità. Modulo di Electronic Devices Le esercitazioni in aula propongono problemi risolvibili con metodi analitici (con ausilio di calcolatrice personale) e problemi che richiedono l’applicazione di tecniche numeriche (con ausilio del computer personale). Ogni settimana sono proposti ulterioi esercizi da svolgersi in autonomia (homework) per i quali è fornita la soluzione nella settimana seguente.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Section: Solid State Physics Class practices include simple problem solving activities, with strict connections to theoretical lectures. In some cases scientific calculators (students' personal property) may be required. In the second part of this Section (joint student teams) the students will learn how to apply the DFT method to practical cases by informatics practices. Section: Electronic Devices Class practices include problems to be solved with analytical techniques (with the possible use of student’s scientific calculator) and problems to be solved with numerical techniques (with the use of student’s personal computer). In each week further exercises are proposed for individual study (homework), whose discussion and solution is provided in the following week

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Section: Solid State Physics Class practices include simple problem solving activities, with strict connections to theoretical lectures. In the second part of this Section (joint student teams) the students will learn how to apply the DFT method to practical cases by informatics practices. Section: Electronic Devices Class practices include problems to be solved with analytical techniques (with the possible use of student’s scientific calculator) and problems to be solved with numerical techniques (with the use of student’s personal computer). In each week further exercises are proposed for individual study (homework), whose discussion and solution is provided in the following week

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley) H. Ibach ' H. Luth: Solid-State Physics: An Introduction to Theory and Experiment (Springer) N. W. Ashcroft ' N. D. Mermin, Solid state physics (Brooks Cole) Materiale messo a disposizione dai Docenti I testi, scelti tra quelli elencati, saranno comunicati a lezione dal docente titolare dell'insegnamento

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley) H. Ibach ' H. Luth: Solid-State Physics: An Introduction to Theory and Experiment (Springer) N. W. Ashcroft ' N. D. Mermin, Solid state physics (Brooks Cole) Materiale messo a disposizione dai Docenti I testi, scelti tra quelli elencati, saranno comunicati a lezione dal docente titolare dell'insegnamento

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley) H. Ibach ' H. Luth: Solid-State Physics: An Introduction to Theory and Experiment (Springer) N. W. Ashcroft ' N. D. Mermin, Solid state physics (Brooks Cole) Material distributed by teachers Actual texts (selected among those in the list) will be stated by the teacher.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

C. Kittel, Introduction to Solid State Physics (Wiley) H. Ibach ' H. Luth: Solid-State Physics: An Introduction to Theory and Experiment (Springer) N. W. Ashcroft ' N. D. Mermin, Solid state physics (Brooks Cole) Material distributed by teachers Actual texts (selected among those in the list) will be stated by the teacher.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Modalità di esame: prova scritta; prova orale obbligatoria; prova orale facoltativa; progetto di gruppo;

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Modalità di esame: prova scritta; prova orale facoltativa;

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Modulo di Solid State Physics L'esame finale è scritto. Esso comprende: quesiti a risposta multipla e asserzioni (da giudicare vere o false) nonché due temi a risposta aperta su tutti gli argomenti del corso. Il voto massimo conseguibile nella parte di quesiti e asserzioni è di 20 trentesimi, quello conseguibile nella parte di temi a risposta libera è di 10 trentesimi. Il voto può essere incrementato/diminuito fino a 3 punti sulla base della qualità della relazione sulle attività di laboratorio informatico. Il tempo complessivamente assegnato per la prova scritta è di 90 minuti. Gli studenti interessati e con dimostrata conoscenza della fisica dello stato solido possono chiedere di integrare l’esame scritto con una prova teorica orale Modulo di Electronic Devices L’esame finale è scritto. Esso è articolato in esercizi numerici e domande a risposta aperta ed è volto ad accertare l’acquisizione da parte dello studente della capacità di analizzare il funzionamento dei dispositivi presentati durante il corso. Per gli studenti interessati e con dimostrata conoscenza del funzionamento dei dispositivi a semiconduttore elementari è prevista la possibilità di sostituire l’esame scritto con una tesina su argomenti del corso e un orale per la discussione della stessa.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Modulo di Solid State Physics L'esame finale è scritto. Esso comprende: quesiti a risposta multipla e asserzioni (da giudicare vere o false) nonché due temi a risposta aperta su tutti gli argomenti del corso. Il voto massimo conseguibile nella parte di quesiti e asserzioni è di 20 trentesimi, quello conseguibile nella parte di temi a risposta libera è di 10 trentesimi. Il voto può essere incrementato/diminuito fino a 3 punti sulla base della qualità della relazione sulle attività di laboratorio informatico. Il tempo complessivamente assegnato per la prova scritta è di 90 minuti. Gli studenti interessati e con dimostrata conoscenza della fisica dello stato solido possono chiedere di integrare l’esame scritto con una prova teorica orale Modulo di Electronic Devices L’esame finale è scritto. Esso è articolato in esercizi numerici e domande a risposta aperta ed è volto ad accertare l’acquisizione da parte dello studente della capacità di analizzare il funzionamento dei dispositivi presentati durante il corso. Per gli studenti interessati e con dimostrata conoscenza del funzionamento dei dispositivi a semiconduttore elementari è prevista la possibilità di sostituire l’esame scritto con una tesina su argomenti del corso e un orale per la discussione della stessa.

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Exam: written test; compulsory oral exam; optional oral exam; group project;

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Exam: written test; optional oral exam;

Solid state physics/Electronic devices (Electronic devices)

Section: Solid State Physics. The exam is written. The test includes multiple-answer questions and statements (to be assessed as true or false) and two open questions on all the course’s subjects. The maximum mark of questions/statements is 20/30, that of open questions is 10/30. The total allotted time is 90 min. The final mark can be increased/decrease up to 3 points on the basis of the quality of the reports on the informatics practices. The written test is passed with a score of at least 15/30. Willing students with an assessed knowledge of solid-state physics may ask for an oral test to possibly increase their marks. Section: Electronic Devices The exam is written. It includes numerical exercises and open answer questions and it is aimed at assessing the student ability to analyze the operation of the devices presented during the course. The written exam may be complemented by an optional (on request of the student or of the teacher) oral exam. In this case the final mark is given as arithmetic average of the written and oral parts. For interested students, with a demonstrated knowledge of elementary semiconductor devices, the written exam may be replaced by a term project, usually involving 2-4 students, on one of the course topics. In this case the exam consists of the delivery of a written report of the project work and of an individual oral (mandatory) exam for the discussion of the presented results. The final mark results as the average of the report evaluation and of the evaluation of the oral exam.

Solid state physics/Electronic devices (Solid state Physics)

Section: Solid State Physics. The exam is written. The test includes multiple-answer questions and statements (to be assessed as true or false) and three open questions on all the course’s subjects. The maximum mark of questions/statements is 15/30, that of open questions is 15/30. The total allotted time is 90 min. The final mark can be increased/decrease up to 3 points on the basis of the quality of the reports on the informatics practices. The written test is passed with a score of at least 18/30. Willing students with an assessed knowledge of solid-state physics may ask for an oral test to possibly increase their marks. Section: Electronic Devices Tthe exam is written. It includes numerical exercises and open answer questions and it is aimed at assessing the student ability to analyze the operation of the devices presented during the course. For interested students, with a demonstrated knowledge of elementary semiconductor devices, the written exam may be replaced by a term paper on one of the course topics and an oral exam for discussion of the presented results.



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