The course is taught in English.
L'insegnamento, obbligatorio in alternativa a optoelettronica nella laurea specialistica di elettronica, ha l'obiettivo di fornire un completamento nella formazione di base nel settore dei dispositivi a semiconduttore, presentando i dispositivi avanzati dedicati alla elettronica veloce e alla optoelettronica. Il corso affronta in particolare lo studio dei dispositivi elettronici a effetto di campo per applicazioni ad alta frequenza, quali il MESFET e i diversi dispositivi a semiconduttore basati sulle eterostrutture, quali gli HFET, gli HEMT e i transistori bipolari HBT. L'insegnamento comprende infine una introduzione all'optolettronica e ai dispositivi optoelettronici, quali i dispositivi per la rivelazione e la modulazione elettro-ottica.

- Conoscenza delle problematiche relative ai dispositivi per l'elettronica delle alte frequenze e dell'optoelettronica
- Conoscenza delle soluzioni tecnologiche avanzate per la costruzione di dispositivi per applicazioni veloci e optolettroniche
- Conoscenza del funzionamento dei dispositivi ad alta frequenza e relativi modelli descrittivi
- Conoscenza di base del funzionamento di alcuni dispositivi optoelettronici (fotodiodi e modulatori elettro-ottici)
- Capacitā di utilizzare modelli matematici su base fisica per la analisi e il progetto di dispositivi elettronici veloci (MESFET, HEMT, HBT)
- Capacitā di utilizzare modelli circuitali equivalenti di piccolo segnale per dispositivi elettronici veloci (MESFET, HEMT, HBT)

- Elementi di fisica dello stato solido e di funzionamento della conduzione elettrica nei semiconduttori.
- Principi di funzionamento dei principali dispositivi a semiconduttore.

- Richiami di teoria dei semiconduttori (5 h)
- La giunzione metallo-semiconduttore e il transistore MESFET (15 h)
- Le eterostrutture: tecnologia e struttura a bande (5 h)
- FET a eterostruttura: HFET, HEMT (15 h)
- transistori bipolari ad eterostruttura HBT (10 h)
- Dispositivi per l'optoelettronica (10 h)

Esercitazioni in aula dedicate all'approfondimento dei modelli matematici per la analisi delle eterostrutture e dei dispositivi presentati nel corso.

Il materiale didattico utilizzato durante le lezioni č disponibile attraverso il portale della didattica. Dispense fornite dal docente. Testi di riferimento: G. Ghione Semiconductor Device for High-Speed Optoelectronics, Cambridge University Press (2009); G. Ghione Dispositivi per la Microelettronica, McGraw Hill (1998).

Esame scritto, che verte sia sugli aspetti teorici sia sulla parte di esercitazioni del corso. Esame orale facoltativo.