Obiettivo del corso e¿ illustrare i principali meccanismi di funzionamento dei dispositivi elettronici.
In particolare saranno studiati i dispositivi derivandone il comportamento elettrico dai principi di base dei materiali semiconduttori e dal loro modello matematico.
Le giunzioni p-n, il contatto metallo semiconduttore saranno la base per approfondire il funzionamento di dispositivi piu¿ complessi quali i transistori bipolari e quelli ad effetto di campo. E alla compresione del MOSFET viene dedicata una sezione di approfondimento in cui si analizzeranno anche le strutture base delle memorie. Concludera¿ il corso un rapido esame dei principali dispositivi optoelettronici.

Per una buona comprensione dei contenuti del corso risulta fondamentale l¿aver acquisito padronanza sia dei principi di base dell¿elettrotecnica e dell¿elettrostatica e sia della struttura e delle equazioni dei materiali semiconduttori.

Giunzioni Schottky: raddrizzanti e ohmiche. Capacita¿ differenziale e calcolo della corrente.
Giunzione pn all¿equilibrio: analisi elettrostatica e valutazione C(V).
Calcolo delle correnti nella giunzione pn. Fenomeni di rottura: effetto Zener e valanga. Tecnologia dei diodi integrati. Eterostrutture, leghe ternarie e quaternarie.
Transistori bipolari: struttura, principi di funzionamento, correnti di base e parametri caratteristici.
Transistori ad effetto di campo: JFET, MESFEt, MOSFET. Il sistema MOS: zone di funzionamento, inversione di popolazione, tensione di soglia, capacita¿. Cenni sulle memorie:concetti di base e dispositivi a gate flottante.
Dispositivi optoelettronici: cenno ai sistemi di comunicazione ottici in fibra ottica; dispositivi optoelettronici: fotorivelatori e sorgenti (LED e LASER).

Esame scritto e prova orale facoltativa.