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Microelectronics Electromagnetic Compatibility
Tesi al Politecnico
Progetto di un gate driver integrato per transistori di potenza GaN
Parole chiave ELETTRONICA DI POTENZA, MICROELETTRONICA
Riferimenti FRANCO FIORI
Gruppi di ricerca Microelectronics Electromagnetic Compatibility
Descrizione I dispositivi GaN di ultima generazione consentono di aumentare la frequenza di commutazione dei circuiti
di potenza, quindi la densitą di potenza. Tuttavia, frequenze pił elevate di commutazione richiedono dv/dt pił elevati
quindi la scelta dell'architettura della sezione di potenza e il progetto del gate driver si complica.
Questa tesi mira a progettare un gate driver integrato che eviti gli stati metastabili
del circuito di potenza e sia in grado di controllare le sovratensioni e le oscillazioni dovute alle rapide variazioni
di tensione e corrente.
Scadenza validita proposta 21/03/2023
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