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Progetto di un gate driver integrato per transistori di potenza GaN
Parole chiave ELETTRONICA DI POTENZA, MICROELETTRONICA
Riferimenti FRANCO FIORI
Gruppi di ricerca Microelectronics Electromagnetic Compatibility
Descrizione I dispositivi GaN di ultima generazione consentono di aumentare la frequenza di commutazione dei circuiti
di potenza, quindi la densitą di potenza. Tuttavia, frequenze pił elevate di commutazione richiedono dv/dt pił elevati
quindi la scelta dell'architettura della sezione di potenza e il progetto del gate driver si complica.
Questa tesi mira a progettare un gate driver integrato che eviti gli stati metastabili
del circuito di potenza e sia in grado di controllare le sovratensioni e le oscillazioni dovute alle rapide variazioni
di tensione e corrente.
Scadenza validita proposta 21/03/2023
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