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Connessioni Die-to-die e die-to-wafer: Cu-Cu e Al-Al bonding
Parole chiave MICROELETTRONICA, PROCESSI INNOVATIVI, TECNOLOGIE INNOVATIVE
Riferimenti VALENTINA BERTANA, SERGIO FERRERO, LUCIANO SCALTRITO
Gruppi di ricerca AA - Materials and Processes for Micro and Nano Technologies
Tipo tesi SPERIMENTALE APPLICATA
Descrizione Le connessioni tra elementi microelettronici sono 'key-enabling' per la prossima generazione di sistemi-in-package. Nel corso degli ultimi decenni, sono state sviluppate molte tecniche per ottenere giunzioni di alta qualità [1]. Tuttavia, il legame metallico puro richiede temperature e pressioni elevate, rendendo questa soluzione poco praticabile per l'elettronica ordinaria. Inoltre, la scala delle interconnessioni si riduce continuamente a causa dei dispositivi di calcolo di ridotte dimensioni ed estremamente veloci, seguendo la Legge di Moore. Il legame diretto rame-su-rame sembra essere una soluzione per superare la limitazione della riduzione di scala fino al sub-micron. Tuttavia, sono stati sviluppati processi basati sul legame rame-su-rame con pressioni e temperature ragionevolmente basse [2, 3]. L'obiettivo della tesi è investigare questi nuovi processi e produrre alcuni prototipi di giunzione.
Il lavoro sarà organizzato come segue:
• Revisione della letteratura sui principali processi
• Definizione di un (nuovo) processo di fabbricazione
• Definizione dei test necessari per verificare il processo
• Implementazione del processo
• Caratterizzazione dei risultati
Scadenza validita proposta 01/12/2024
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