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Processo Termico Laser di wafer in Silicon Carbide

Riferimenti SERGIO FERRERO, LUCIANO SCALTRITO

Gruppi di ricerca AA - Materials and Processes for Micro and Nano Technologies

Tipo tesi SPERIMENTALE APPLICATA

Descrizione I dispositivi in carburo di silicio (SiC) mostrano vantaggi significativi nell'elettronica di potenza grazie alle proprietÓ di ampia banda proibita.
Tuttavia, il costo di produzione di wafer SiC e alcuni processi per la produzione dei dispositivi risultano ancora in fase di sviluppo. Tra questi un passaggio chiave nel flusso di produzione Ŕ il trattamento termico post impiantazione per la ricristallizzazione dello strato amorfizzato.
L'obiettivo di questa tesi Ŕ quello di studiare il processo di annealing mediante tecnologia laser al fine di ottenere dei risultati affidabili del processo per applicazioni nell'elettronica di potenza.

Conoscenze richieste Materiali Semiconduttori, Processi Laser


Scadenza validita proposta 16/03/2023      PROPONI LA TUA CANDIDATURA




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