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Processo Termico Laser di Silicon Carbide depositato in film sottile

Riferimenti SERGIO FERRERO, LUCIANO SCALTRITO

Gruppi di ricerca AA - Materials and Processes for Micro and Nano Technologies

Tipo tesi SPERIMENTALE APPLICATA

Descrizione I dispositivi in carburo di silicio (SiC) ad oggi hanno mostrato vantaggi significativi nell'elettronica di potenza grazie alle proprietà di ampia banda proibita. Sono evidenti applicazioni nel settore dell'optoelettronica ma ad oggi sono necessari notevoli studi su alcuni passi di processo, come la deposizioni di strati sottili con qualità cristalline ottimizzate per applicazioni ottiche.
Tra questi un processo chiave nel flusso di produzione è il trattamento termico, dopo la deposizione CVD di strati amorfi, per ottenere la ricristallizzazione del film.
L'obiettivo di questa tesi è quello di studiare il processo di annealing mediante tecnologia laser al fine di ottenere dei risultati affidabili del processo per applicazioni nell'optoelettronica.

Conoscenze richieste Materiali Semiconduttori, Processi Laser


Scadenza validita proposta 16/03/2023      PROPONI LA TUA CANDIDATURA




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